Kompetensi

Latihan

Tes


Tim


Dilihat: 27763
Diunduh: 675

 

P-N Junction.

 

P-N Junction

Junction (persambungan) adalah daerah tempat tipe-P dan tipe-N disambung. Dioda junction adalah nama lain untuk  kristal P-N. Pada gambar 1 di bawah ini ditunjukkan simbol dioda dan dioda junction tanpa bias tegangan. Sisi P mempunyai banyak hole dan sisi N banyak elektron pita konduksi .

     

  Gambar 1 . Simbol Dioda dan Junction Dioda

Lapisan pengosongan

Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil yang disebut lapisan kosong (depletion layer). Di daerah tersebut terdapat keseimbangan antara hole dan elektron.Pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron, sedangkan di sisi N banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk bebas.

Elektron pada sisi N  cenderung berdifusi ke segala arah, beberapa elektron berdifusi melewati junction. Setiap kali elektron berdifusi melalui juction akan menciptakan sepasang ion.Tanda positif berwarna merah  menandakan ion positif dan tanda negatif berwarna merah menandakan ion negatif.

Tiap pasang ion positif dan ion negatif pada gambar 2 disebut dipole. Penciptaan dipole berarti satu elektron pita konduksi dan satu hole telah dikeluarkan dari sirkulasi. Jika terbentuk sejumlah  dipole, daerah dekat junction dikosongkan dari muatan-muatan , daerah kosong ini  disebut dengan daerah /lapisan pengosongan yang lebarnya 0,5 µm.

Gambar 2. Dipole pada P-N Junction

Tegangan barrier ( rintangan )

Pembangkitan tegangan barrier bergantung pada suhu junction, suhu yang lebih tinggi menciptakan banyak pasangan elektron dan hole, sehingga aliran pembawa minoritas melewati juction bertambah. Pada suhu 25°C Potensial Barier pada dioda germanium (Ge)= 0,3 V dan dioda silikon (Si ) = 0,7 V.Potensial barrier tersebut berkurang 2,5 mV untuk setiap kenaikan 1 derajat Celcius.